Substrato GaAs
Descrición
O arseniuro de galio (GaAs) é un semicondutor composto importante e maduro do grupo III-Ⅴ, é amplamente utilizado no campo da optoelectrónica e da microelectrónica.O GaAs divídese principalmente en dúas categorías: GaAs semiillantes e GaAs de tipo N.O GaAs semiillante utilízase principalmente para facer circuítos integrados con estruturas MESFET, HEMT e HBT, que se utilizan en comunicacións de radar, microondas e ondas milimétricas, ordenadores de ultra-alta velocidade e comunicacións de fibra óptica.O GaAs tipo N utilízase principalmente en láseres LD, LED, infravermellos próximos, láseres de alta potencia cuánticas e células solares de alta eficiencia.
Propiedades
| Cristal | Dopado | Tipo de condución | Concentración de Caudais cm-3 | Densidade cm-2 | Método de crecemento |
| GaAs | Ningún | Si | / | <5×105 | LEC |
| Si | N | > 5×1017 | |||
| Cr | Si | / | |||
| Fe | N | ~2×1018 | |||
| Zn | P | > 5×1017 |
Definición de substrato GaAs
O substrato de GaAs refírese a un substrato feito de material cristalino de arseniuro de galio (GaAs).O GaAs é un semicondutor composto composto por elementos galio (Ga) e arsénico (As).
Os substratos de GaAs úsanse a miúdo nos campos da electrónica e da optoelectrónica debido ás súas excelentes propiedades.Algunhas propiedades clave dos substratos de GaAs inclúen:
1. Alta mobilidade electrónica: o GaAs ten maior mobilidade electrónica que outros materiais semicondutores comúns como o silicio (Si).Esta característica fai que o substrato de GaAs sexa axeitado para equipos electrónicos de alta frecuencia e potencia.
2. Gap de banda directa: o GaAs ten un intervalo de banda directo, o que significa que pode producirse unha emisión de luz eficiente cando os electróns e os buratos se recombinan.Esta característica fai que os substratos de GaAs sexan idóneos para aplicacións optoelectrónicas como díodos emisores de luz (LED) e láseres.
3. Banda ampla: GaAs ten unha banda máis ampla que o silicio, o que lle permite funcionar a temperaturas máis altas.Esta propiedade permite que os dispositivos baseados en GaAs funcionen de forma máis eficiente en ambientes de alta temperatura.
4. Baixo ruído: os substratos de GaAs presentan baixos niveis de ruído, polo que son axeitados para amplificadores de baixo ruído e outras aplicacións electrónicas sensibles.
Os substratos de GaAs úsanse amplamente en dispositivos electrónicos e optoelectrónicos, incluíndo transistores de alta velocidade, circuítos integrados de microondas (CI), células fotovoltaicas, detectores de fotóns e células solares.
Estes substratos pódense preparar mediante diversas técnicas como a deposición de vapor químico orgánico metálico (MOCVD), a epitaxia de feixe molecular (MBE) ou a epitaxia en fase líquida (LPE).O método de crecemento específico empregado depende da aplicación desexada e dos requisitos de calidade do substrato de GaAs.
