substrato ge
Descrición
O cristal único Ge é un excelente semicondutor para a industria de infravermellos e IC.
Propiedades
| Método de crecemento | Método Czochralski | ||
| Estrutura cristalina | M3 | ||
| Constante celular unitaria | a = 5,65754 Å | ||
| Densidade (g/cm).3） | 5.323 | ||
| Punto de fusión (℃) | 937,4 | ||
| Material dopado | Sen dopado | Dopado con Sb | In / Ga –dopado |
| Tipo | / | N | P |
| Resistividade | > 35Ωcm | 0,05 Ω cm | 0,05~0,1Ωcm |
| EPD | ＜4×103∕cm2 | ＜4×103∕cm2 | ＜4×103∕cm2 |
| Tamaño | 10x3，10x5，10x10，15x15，，20x15，20x20， | ||
| diámetro 2" x 0,33 mm diámetro 2" x 0,43 mm 15 x 15 mm | |||
| Espesor | 0,5 mm, 1,0 mm | ||
| Pulido | Simple ou dobre | ||
| Orientación cristalina | <100>、<110>、<111>、±0,5º | ||
| Ra | ≤5Å（5µm×5µm） | ||
Definición do substrato Ge
O substrato Ge refírese a un substrato feito de elemento xermanio (Ge).O xermanio é un material semicondutor con propiedades electrónicas únicas que o fan axeitado para unha variedade de aplicacións electrónicas e optoelectrónicas.
Os substratos Ge úsanse habitualmente na fabricación de dispositivos electrónicos, especialmente no campo da tecnoloxía de semicondutores.Utilízanse como materiais base para depositar películas finas e capas epitaxiais doutros semicondutores como o silicio (Si).Os substratos Ge poden usarse para cultivar heteroestruturas e capas de semicondutores compostos con propiedades específicas para aplicacións como transistores de alta velocidade, fotodetectores e células solares.
O xermanio tamén se usa en fotónica e optoelectrónica, onde se pode usar como substrato para o cultivo de detectores e lentes infravermellos (IR).Os substratos Ge teñen propiedades necesarias para aplicacións infravermellas, como un amplo rango de transmisión na rexión do infravermello medio e excelentes propiedades mecánicas a baixas temperaturas.
Os substratos Ge teñen unha estrutura de celosía moi parecida ao silicio, o que os fai compatibles para a integración con produtos electrónicos baseados en Si.Esta compatibilidade permite a fabricación de estruturas híbridas e o desenvolvemento de dispositivos electrónicos e fotónicos avanzados.
En resumo, un substrato Ge refírese a un substrato feito de xermanio, un material semicondutor usado en aplicacións electrónicas e optoelectrónicas.Serve como plataforma para o crecemento doutros materiais semicondutores, permitindo a fabricación de diversos dispositivos nos campos da electrónica, optoelectrónica e fotónica.
