produtos

GOS:Pr cristal, GOS:Tb crystal, GOS:Pr centelleador, GOS:Tb centelleador

Descrición curta:

O centelleador cerámico GOS ten dous tipos de cerámica diferentes, incluíndo GOS:Pr e GOS:Tb.Estas cerámicas teñen excelentes características, como unha alta emisión de luz, alta densidade, baixo rendemento de brillo posterior, é amplamente utilizada en imaxes médicas, incluíndo TC médico e escáner CT industrial, detectores de TC de seguridade.O centelleador de cerámica GOS ten unha alta eficiencia de conversión de raios X e o seu tempo de desintegración (t1/10 = 5,5 us) é curto, o que pode realizar imaxes repetidas en pouco tempo.Pódese usar non só en equipos de imaxe médica, senón tamén en tubos de imaxes de televisión en cor.O escintilador de cerámica GOS ten un rango espectral de pico de emisión de 470 ~ 900 nm, que se combina ben coa sensibilidade espectral dos fotodiodos de silicio (Si PD).


Detalle do produto

Etiquetas de produtos

Vantaxe

● Alto rendemento luminoso

● Baixo tempo de descomposición e baixo brillo posterior

● Flexibilidade para o seu deseño e propósito.

● Non contén substancias tóxicas nin perigosas.

● Excelente en resistencia á humidade.

Aplicación

● Imaxe médica

● TC médico

● Escáner de TC industrial (NDT)

Propiedades

Parámetro

GOS: Pr Cerámica

GOS:Tb Cerámica

Lonxitude de onda máxima/nm

512

550

Sistema

Cerámica policristalina

Cerámica policristalina

Transparencia

Translúcido

Translúcido

Saída de luz (fotóns/keV)

27

45

Tempo de decadencia (ns)

3000

600000

Resplandor posterior/@20 ms

≤0,01 %

≤0,03 %

Coeficiente atómico

60

60

Densidade (g/cm3)

7.34

7.34

Higroscópico

No

No

Dureza de Mohs

5

5

Descrición do produto

GOS:Pr/GOS:Tb é un material cerámico composto por oxisulfuro de gadolinio activado por praseodimio (Pr) ou terbio (Tb) como elementos dopantes.Con excelentes propiedades de escintilación, úsase amplamente como material de centelleo en equipos de imaxe médica, como escáneres PET.O proceso de escintilación implica a conversión de fotóns ou partículas de alta enerxía en luz visible.

Cando son excitados pola radiación incidente, os átomos de gadolinio en GOS:Pr/GOS:Tb emiten fotóns, que despois son detectados por fotodetectores.Este proceso permite a obtención de imaxes e detección precisas das fontes de radiación.GOS:Pr/GOS:Tb son coñecidos pola súa alta emisión de luz, curto tempo de decaemento e baixo brillo posterior, o que permite unha detección de radiación rápida e precisa.Tamén ten un alto poder de parada contra os raios X e os raios gamma, polo que é moi eficaz en aplicacións de imaxe médica.En xeral, a cerámica GOS:Pr/GOS:Tb é un valioso material de centelleo que revolucionou o campo da imaxe médica, levando a un diagnóstico máis precoz e un tratamento máis eficaz das enfermidades.

Probas de rendemento

Informe de proba de comparación de módulos GOS:Pr PD

1. Dimensións

Elemento

Lonxitude (mm)

Ancho (mm)

Altura (mm)

Distancia (mm)

Pixel

Reflector (mm)

GOS

Competidores

25,4-0,1

3.0

1.25

0.2

1,575*2,9*1,2

0,05

GOS: Pr

Kinheng GOS: Tb

25,4-0,1

3.4

1,55

0.2

1,575*3,0*1,3

0.2

GOS: Tb

Kinheng GOS: Pr

25,4-0,1

3.4

1,55

0.2

1,575*3,0*1,3

0.2

GOS: Pr

GOSPr1
GOSPr2
GOSPr3

2. Dopaxe diferente

1.GOS:Tb PD MÓDULO 4 UNIDADES.

1. Condición de proba de saída de luz Tensión: 63 kv;Corrente: 0,33 mA

S/N Pixel 1 Pixel 2 Pixel 3 Pixel 4 Pixel 5 Pixel 6 Pixel 7 Pixel 8 Pixel 9 Pixel 10 Pixel 11 Pixel 12 Pixel 13 Pixel 14 Pixel 15 Pixel 16 Media
Tb -1 21088 21669 21782 21763 21614 21820 21754 21868 21931 21875 21840 21830 21670 21598 21705 21227 21689
Tb -2 20702 21948 22070 21824 21791 21734 21904 21585 21649 21747 21905 21888 21821 21737 21890 21316 21719
Tb -3 20515 21367 21701 21741 21394 21704 21811 21694 21743 21593 21600 21813 21880 21883 21679 20931 21565
Tb -4 20568 21407 21562 21719 21761 21875 21640 21610 21836 21804 21881 21560 21731 21717 21651 21431 21609

2. Uniformidade

S/N Pixel 1 Pixel 2 Pixel 3 Pixel 4 Pixel 5 Pixel 6 Pixel 7 Pixel 8 Pixel 9 Pixel 10 Pixel 11 Pixel 12 Pixel 13 Pixel 14 Pixel 15 Pixel 16 Máx Min
Tb -1 -2,8 % -0,1 % 0,4 % 0,3 % -0,3 % 0,6 % 0,3 % 0,8 % 1,1 % 0,9 % 0,7 % 0,6 % -0,1 % -0,4 % 0,1 % -2,1 % 1,1 % -2,8 %
Tb -2 -4,7 % 1,1 % 1,6 % 0,5 % 0,3 % 0,1 % 0,9 % -0,6 % -0,3 % 0,1 % 0,9 % 0,8 % 0,5 % 0,1 % 0,8 % - 1,9 % 1,6 % -4,7 %
Tb -3 -4,9 % -0,9 % 0,6 % 0,8 % -0,8 % 0,6 % 1,1 % 0,6 % 0,8 % 0,1 % 0,2 % 1,1 % 1,5 % 1,5 % 0,5 % -2,9 % 1,5 % -4,9 %
Tb -4 -4,8 % -0,9 % -0,2 % 0,5 % 0,7 % 1,2 % 0,1 % 0,0 % 1,0 % 0,9 % 1,3 % -0,2 % 0,6 % 0,5 % 0,2 % -0,8 % 1,3 % -4,8 %

3. Resplandor: condición de proba, tensión: 160kv;Corrente: 1 mA

Número de serie

1 ms

3 ms

20 ms

50 ms

100 ms

Tb -1

0,1115

0,0363

0,0232

0,0185

0,0187

Tb -2

0,1197

0,0272

0,0165

0,0154

0,014

Tb -3

0,0895

0,0133

0,0119

0,0139

0,0158

Tb -4

0,1122

0,033

0,0258

0,0252

0,0211

4. Dimensión:

Elemento L/mm25.40.1 W/mm3.40.1 H/mm± 0,05 Píxel 1,375 ± 0,05 Espidacristal W 3,0±0,05 Lonxitude total 25,0±0,05 Gap0,2 ± 0,05 Reflector lateral0,2 ± 0,05 Reflector superior0,2 ± 0,05
Tb -1 25.39 3.363 1.52 1.386 2.998 24.978 0,188 0,19 0,199
Tb -2 25.397 3.337 1.53 1.387 2.994 24.98 0,186 0,171 0,192
Tb -3 25.392 3.352 1.53 1.389 3.003 24.98 0,187 0,167 0,196
Tb -4 25.396 3.358 1.53 1.385 2.996 24.978 0,186 0,177 0,224

2. GOS: Pr PD Módulo 4 PCS

1. Saída de luz: tensión de condición de proba: 63 kv;corrente: 0,33 mA

S/N Pixel 1 Pixel 2 Pixel 3 Pixel 4 Pixel 5 Pixel 6 Pixel 7 Pixel 8 Pixel 9 Pixel 10 Pixel 11 Pixel 12 Pixel 13 Pixel 14 Pixel 15 Pixel 16 Media
Pr- 1 8922 9490 9483 9499 9535 9477 9405 9357 9230 9391 9388 9442 9346 9404 9381 9102 9366
Pr-2 8897 9257 9343 9351 9360 9200 9201 9329 9408 9385 9395 9333 9346 9413 9337 8845 9275
Pr -3 9041 9300 9302 9278 9362 9281 9252 9307 9178 9197 9342 9304 9261 9350 9265 8551 9223
Pr -4 8914 9416 9492 9455 9578 9491 9449 9404 9464 9490 9428 9323 9469 9490 9434 9039 9396

2. Uniformidade

Número de serie píxel 1 píxel 2 píxel 3 píxel 4 píxel 5 píxel 6 píxel 7 píxel 8 píxel 9 píxel 10 píxel 11 píxel 12 píxel 13 píxel 14 píxel 15 píxel 16 Máx Min
Pr- 1 -4,7 % 1,3 % 1,3 % 1,4 % 1,8 % 1,2 % 0,4 % -0,1 % - 1,4 % 0,3 % 0,2 % 0,8 % -0,2 % 0,4 % 0,2 % -2,8 % 1,8 % -4,7 %
Pr-2 -4,1 % -0,2 % 0,7 % 0,8 % 0,9 % -0,8 % -0,8 % 0,6 % 1,4 % 1,2 % 1,3 % 0,6 % 0,8 % 1,5 % 0,7 % -4,6 % 1,5 % -4,6 %
Pr -3 -2,0 % 0,8 % 0,9 % 0,6 % 1,5 % 0,6 % 0,3 % 0,9 % -0,5 % -0,3 % 1,3 % 0,9 % 0,4 % 1,4 % 0,5 % -7,3 % 1,5 % -7,3 %
Pr -4 -5,1 % 0,2 % 1,0 % 0,6 % 1,9 % 1,0 % 0,6 % 0,1 % 0,7 % 1,0 % 0,3 % -0,8 % 0,8 % 1,0 % 0,4 % -3,8 % 1,9 % -5,1 %

3. Resplandor: tensión de condición de proba: 160kv;corrente: 1 ma

Número de serie

1 ms

3 ms

20 ms

50 ms

100 ms

Pr- 1

0,033

0,031

0,0238

0,0259

0,0213

Pr-2

0,0314

0,0256

0,0205

0,0258

0,0236

Pr -3

0,0649

0,0312

0,0154

0,0167

0,0171

Pr -4

0,0509

0,0202

0,018

0,0201

0,021

4. Medición de dimensións:

S/N Lonxitude L/mm25,4-0,1 Ancho W/mm3,4-0,1 Altura L/mm±0,05 Pixel L 1,375 ± 0,05 Pixel w 3,0±0,05 Lonxitude total 25,0±0,05 Desfase 0,2±0,05 Reflector lateral 0,2±0,05 Endreflector 0,2±0,05
Pr- 1 25.386 3.333 1.53 1.382 2.994 24.974 0,191 0,164 0,194
Pr-2 25.384 3.348 1.54 1.381 2.991 24.975 0,194 0,182 0,198
Pr -3 25.371 3.32 1.53 1.377 2.989 24.976 0,19 0,18 0,197
Pr -4 25.396 3.332 1.53 1.382 2.989 24.971 0,192 0,19 0,228

3. Comparación de aspecto/dimensións:

Detector GOS Pr
GOS Pr

  • Anterior:
  • Seguinte:

  • Escribe aquí a túa mensaxe e envíanolo