Substrato SiC
Descrición
O carburo de silicio (SiC) é un composto binario do Grupo IV-IV, é o único composto sólido estable do Grupo IV da Táboa Periódica. É un semicondutor importante.SiC ten excelentes propiedades térmicas, mecánicas, químicas e eléctricas, o que o converte nun dos mellores materiais para fabricar dispositivos electrónicos de alta temperatura, alta frecuencia e alta potencia, o SiC tamén se pode usar como material de substrato. para diodos emisores de luz azul baseados en GaN.Actualmente, o 4H-SiC é o principal produto do mercado e o tipo de condutividade divídese en tipo semi-illante e tipo N.
Propiedades
| Elemento | 2 polgadas 4H tipo N | ||
| Diámetro | 2 polgadas (50,8 mm) | ||
| Espesor | 350 +/-25um | ||
| Orientación | fóra do eixe 4,0˚ cara a <1120> ± 0,5˚ | ||
| Orientación primaria de piso | <1-100> ± 5° | ||
| Piso secundario Orientación | 90,0˚ CW desde o plano principal ± 5,0˚, Si cara arriba | ||
| Lonxitude plana primaria | 16 ± 2,0 | ||
| Lonxitude plana secundaria | 8 ± 2,0 | ||
| Grao | Grao de produción (P) | Grao de investigación (R) | Grao ficticio (D) |
| Resistividade | 0,015~0,028 Ω·cm | < 0,1 Ω·cm | < 0,1 Ω·cm |
| Densidade de microtubo | ≤ 1 microtubo/cm² | ≤ 10 microtubos/cm² | ≤ 30 microtubos/cm² |
| Rugosidade superficial | Si cara CMP Ra <0,5 nm, C cara Ra <1 nm | N/A, superficie útil > 75 % | |
| TTV | < 8 um | < 10 um | < 15 um |
| Proa | < ± 8 um | < ± 10um | < ± 15 um |
| Deformación | < 15 um | < 20 um | < 25 um |
| Gretas | Ningún | Lonxitude acumulada ≤ 3 mm | Lonxitude acumulada ≤10 mm, |
| Raiaduras | ≤ 3 arañazos, acumulados | ≤ 5 arañazos, acumulados | ≤ 10 arañazos, acumulados |
| Placas hexagonales | máximo 6 placas, | máximo 12 placas, | N/A, superficie útil > 75 % |
| Áreas politípicas | Ningún | Área acumulada ≤ 5 % | Área acumulada ≤ 10 % |
| Contaminación | Ningún | ||
